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库存FQP50N06 50A60V至220 n沟道Mosfet 50N06
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Shenzhen Kolorful Technology Co., Ltd.
1 yr
CN
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重要属性
行业属性
型号
FQP50N06
种类
其他
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
-, 通孔
原产地
/
类型
-, 晶体管
工作环境温度
-, -
D/C
22 +, 22 +
供应类型
原厂原装, ODM
可参考资料
数据表, 照片
品名
50N06
电压 - 集射极击穿(最大值)
-
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
电阻器 - 基底(R1)
-
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
Vgs(最大值)
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
-
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
漏极电流(Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
-
电阻 - RDS(开)
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移(Vt)
-
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
-
电流 - 谷值(Iv)
-
电流 - 峰值
-
应用
-
零件号
FQP50N06
填料
卷轴、管、切割胶带、托盘、袋子
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
装运
DHL \ FEDEX \ UPS \ TNT \ EPACK \ 中国邮政
服务
24小时在线
保修
1年
提前期
1-3天
最小起订量
10
质量
100% 原创100% 品牌
包装和发货信息
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shenzhen
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单品包装尺寸:
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单品毛重:
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