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Integrated Circuit IC Chip Original A2T27S020GNR1 RF MOSFET Transistors
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
A2T27S020GNR1
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
Surface mount
描述
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
原产地
China
封装/外壳
Reel
工作环境温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
D/C
-
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
Standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
Standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Standard
电流 - 集电极截止（最大值）
Standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Standard
功率 - 最大值
Standard
频率 - 跃迁
Standard
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
Standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
Standard
FET 类型
-
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
Standard
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
Standard
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
Standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
Standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
Standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
Standard
响应频率(Hz)
Standard
额定电流
Standard
噪声系数
Standard
功率-输出
Standard
电压-额定
Standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
Standard
Vgs（最大值）
Standard
IGBT 类型
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Standard
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Standard
漏极电流（Id） - 最大值
Standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Standard
电阻 - RDS（开）
Standard
电压
Standard
电压-输出
Standard
电压 - 偏移（Vt）
Standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Standard
电流 - 谷值（Iv）
Standard
电流 - 峰值
Standard
应用
Standard
China Supplier
Electronic Components
Condition
Original new 100%
Lead Free Status
RoHS Status
Shipping by
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\SF
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
More quantity
Negotiable Price
Data Sheet
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Warranty
90 Days
Location
Shenzhen
MOQ
1
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
XX 厘米
单品毛重：
公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
定制
Customized packaging
最小起订量: 10000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
