原产地
California, United States
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
-
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
-
Description
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Drain to Source Voltage
600V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250uA
Gate Charge @ Vgs
40nC @ 10V
Input Capacitance @ Vds
4.5V @ 250uA
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220-3F