Jeking晶体管MOSFET P-CH 60V 30A SPD30P06PG至-252 IC 30P06P
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重要属性
行业属性
型号
SPD30P06PG
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Jeking
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
原产地
China
封装/外壳
TO-252-3
D/C
最新
应用
通用
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) P-Ch -60V 30A DPAK-2
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
30 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
60 V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
30 A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
125 W
频率 - 跃迁
标准
操作温度
-55 °C ~ 175 °C
安装方式
SMD/SMT
电阻器 - 基底（R1）
75 mOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）
75 mOhms
FET 类型
N-Channel
漏源电压（Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
噪声系数
-
功率-输出
--
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
--
漏极电流（Id） - 最大值
--
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
--
电流 - 峰值
-
制造商零件编号
SPD30P06PG
典型关断延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
13 ns
子类别中的更多壁纸
金属氧化物半导体场效应晶体管 (mosfet)
上升时间
11 ns
下降时间
20 ns
向前跨导-分钟
5.2 S
晶体管式
1 P
配置
单
通道模式
增强
包装和发货信息
Packaging Details
ESD / Vacuum / Foam / Cartons
Port
Shenzhen / Hongkong
供应能力
供应能力
10000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 100000 | > 100000 |
| 美国东部时间（天） | 2 | 待定 |
供应商的产品说明
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