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KGT25N120NDH TO-3P 1200V 25A 25 n120 KEC 25V 1200V Transistor ad effetto di campo IGBT
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#3
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Shenzhen Hengtai Yi Technology Co., Ltd.
2 yrs
CN
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Attributi chiave
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Punto d'origine
Standards
Marca
Standards
Numero del Modello
KGT25N120NDH
Descrizione
Norme
Tipo di imballaggio
Norme
Applicazione
Norme
Tipo
Norme
Contenitore/Involucro
Norme
Serie
Norme
Caratteristiche
Norme
Tipo di montaggio
Norme
Codice della Data di produzione
Norme
Croce di Riferimento
Norme
Imballaggio e consegna
Orificio
Shenzhen/Hongkong
Capacità di fornitura
Capacità di fornitura
500000 Parte/parti per Day
Mostra di più
Tempi di consegna
Quantità (parti)
1 - 500
501 - 1000
1001 - 2000
> 2000
Tempo previsto (giorni)
1
2
2
Da negoziare
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1 - 999 parti
0,9281 €
1000 - 9999 parti
0,5156 €
10000 - 19999 parti
0,1125 €
>= 20000 parti
0,0938 €
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