悬停鼠标可放大图片
KTHigh质量SS8050系列25 V 1.5 A通孔NPN外延硅晶体管S快速传输
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
S8050
种类
NPN - triode
品牌
Transistors
封装类型
--
其他属性
安装类型
通孔通孔
描述
其他
原产地
China
封装/外壳
SOT-23
类型
NPN-三极管
工作环境温度
--
系列
其他
D/C
19 + 20 +
应用
不适用
供应类型
原厂原装, ODM, 代理
相似属性可替代料号
s8550
可参考资料
数据表, 照片
品名
晶体管
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
80A
电压 - 集射极击穿（最大值）
75V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
4V @ 3.2A16A
电流 - 集电极截止（最大值）
80A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
25 @ 8A5V
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
4MHz
操作温度
- -
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
不适用
漏源电压（Vdss）
75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
80A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
4MHz
额定电流
80A
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
T-型
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
不适用
晶体管类型
NPN-三极管
通道模式
增强功能
功能说明
硅NPN晶体管
输入
--
技术
Si
类别
晶体管
电压-输出
-
驱动电压 (最大Rds On，最小Rds On)
--
特点
NPNVceo = 25VIc = 500mA
制造商
联系我们JDP/原装品牌plz
价格
联系我们以获得最低价格
包装和发货信息
Packaging Details
纸箱
供应能力
供应能力
50000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 2 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 1
如需了解更多定制细节， 私信供应商
