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MOSFET晶体管5N3003 H5N3003P TO-3P 300V 40A功率mos管
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
5N3003 H5N3003P
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，场效应晶体管
品牌
SHUNJIADE
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
-
D/C
N/A
应用
通用
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
相似属性可替代料号
/
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
SHUNJIADE
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
一个
电压 - 集射极击穿（最大值）
V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
一个
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
W
频率 - 跃迁
Hz
操作温度
c
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
其他
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
一个
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
一个
噪声系数
-
功率-输出
W
电压-额定
V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
其他
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
V
电压-输出
V
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
无铅状态
符合RoHS标准
包装
标准包装
质量
保证
条件
全新原装
运输
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ 香港邮政
产品名称
晶体管mosfet
包装和发货信息
Packaging Details
Reel or Tube
Port
SHENZEN,HONGKONG
供应能力
供应能力
10000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 50000 | 50001 - 300000 | 300001 - 700000 | > 700000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 5 | 7 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 10000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
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