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MRF141 150W 28V 175MHz射频MOSFET射频晶体管
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重要属性
行业属性
型号
MRF141
种类
RF晶体管
品牌
Original
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
standard
描述
150W 28V 175MHz RF MOSFET RF transistor
原产地
Original
封装/外壳
metal + ceramic
类型
RF MOSFET RF transistor
工作环境温度
-65 to 150°C
系列
28V devices for frequencies to 1 GHz
D/C
23+
应用
高频
供应类型
ODM, 代理, 零售商
品名
MRF134 5W 28V 400MHz RF MOSFET RF transistor
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
standard
电流 - 集电极截止（最大值）
standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
standard
功率 - 最大值
150W
频率 - 跃迁
1-175MHz
操作温度
-65 to 150°C
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
standard
FET 类型
MOS
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
65V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16 A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
350 pF
响应频率(Hz)
1-175MHz
额定电流
16 A
噪声系数
standard
功率-输出
150W
电压-额定
28V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
standard
Vgs（最大值）
5V
IGBT 类型
standard
配置
standard
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
standard
输入
standard
NTC 热敏电阻
standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
±40V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
5 mA
漏极电流（Id） - 最大值
16 A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
65V
电阻 - RDS（开）
standard
电压
standard
电压-输出
standard
电压 - 偏移（Vt）
standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
standard
电流 - 谷值（Iv）
standard
电流 - 峰值
standard
应用
standard
晶体管类型
RF MOSFET
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
15X10X6 厘米
单品毛重：
0.400 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 1000
外包裝定制
最小起订量: 1000
图案定制
最小起订量: 1000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
