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      Hersteller helle 3 mm runde IR 1300 nm LED-Diode Tiefspannungs-LED-Transistor

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      Shenzhen Jnj Optoelectronics Co., Limited4 yrsCN

      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      JNJ-LC-F345-130014-C-G1
      Art
      Foto transistor
      Markenname
      JNJOPTO
      Paket-Art
      Während des Lochs

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Durch Loch
      Beschreibung
      3mm npn Foto transistor
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      In Linie Paket
      Art
      Foto transistor
      Betriebstemperatur
      -40 ~ + 100 ℃
      Serie
      3mm Foto transistor
      Anwendung
      Rauch wandler
      Lieferantentyp
      Original hersteller
      Media Verfügbar
      Datenblatt
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      100ma
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      5v
      Betriebstemperatur
      -40~+100℃
      Befestigungstyp
      Perforation
      Transistor Typ
      Foto transistor
      Winkel
      15 ° / 45 ° / 60 ° / 90 °/120 °
      Produktname
      F3 Foto transistor
      Größe
      3mm
      Spannung
      5v
      Zertifizierung
      Rohs/iso9001
      LED-Typ
      Hohe Leistung
      Wellenlänge
      1300nm
      Perlen material
      Schwarzes Epoxid
      Paket typ
      Paket in anti statischen Taschen und im Karton verpacken.
      Beschreibung
      Standard

      Verpackung und Lieferung

      Verkaufseinheiten:
      Einzelartikel
      Einzelpackungsgröße:
      14X10X10 cm
      Einzelbruttogewicht:
      0.010 kg
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