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Mosfet HC80N03 n沟道30V 80A快速开关功率Mosfet晶体管TO252 80N03
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重要属性
行业属性
型号
HC80N03 80N03
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Lendo
其他属性
安装类型
Standard
描述
HC80N03 N-Channel 30V Fast Switching MOSFETs
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO252
类型
N --Channel MOSFET 80N03
工作环境温度
-40 - 125℃
系列
Power Mosfet Transistor
D/C
23+
应用
Power management
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表
品名
HC80N03 N-Channel 30V Fast Switching MOSFETs
电压 - 集射极击穿（最大值）
Standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
Standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
Standard
操作温度
150°C (TJ)
安装方式
Standard
电阻器 - 基底（R1）
Standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
Standard
FET 类型
MOSFET
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.8mΩ
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
Standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
Standard
响应频率(Hz)
Standard
额定电流
Standard
噪声系数
Standard
功率-输出
Standard
电压-额定
Standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
Standard
Vgs（最大值）
Standard
IGBT 类型
Standard
配置
Standard
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
Standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
Standard
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
Standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
Standard
漏极电流（Id） - 最大值
Standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
Standard
电阻 - RDS（开）
Standard
电压
Standard
电压-输出
Standard
电压 - 偏移（Vt）
Standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
Standard
电流 - 谷值（Iv）
Standard
电流 - 峰值
Standard
应用
Standard
晶体管类型
P-Channel
Product Name
HC80N03
package type
TO252
Parameter
N-Channel 30V 80A
Vds Drain-Source Voltage
30V
VGS Gate-Source Voltage
12V
Id max
80A
MPQ
3000 Pcs/reel
Quality
100% Original 100% Brand
包装和发货信息
Packaging Details
盒子
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
15.5X15.5X5 厘米
单品毛重：
0.002 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 2 | 3 | 待定 |
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