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새로운 오리지널 KIA2906A KIA2906A TO3P MOSFET 고출력 인버터 헤드 모 전계 효과 트랜지스터 MOSFET KIA2906A

Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd.복합 전문 공급업체3 yrsCN

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
KIA2906A
유형
원본
유명 상표
Original Manufacturer
포장 유형
TO3P

기타 속성

장착 유형
구멍을 통해
원래 장소
China
패키지/케이스
TO-220-3 풀 팩
유형
트랜지스터
작용 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
D/ C
재고 있음
신청
Mosfet
공급 유형
원래 제조 업체
상호 참조
TIP42
미디어 가능
사진
品名
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
5A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
100V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
4V @ 20mA, 5A
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
0.5A
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
1000 @ 3A, 3V
전원 최대
2W
주파수-전환
3MHz
저항 (R1)
110Ω
저항 이미터 (R2)
200Ω
FET 유형
N-채널
FET 특징
적용
드레인 근원 전압 (Vdss)
800V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
5V @ 0.25A
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1680pF @ 25V
주파수
-
현재 등급 (암페어)
5μA
잡음
-
전원 출력
-
전압-정격
5V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vgs (최대)
± 30V
IGBT 유형
-
구성
적용
Vce () (최대) @ Vge, Ic
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-
입력
-
NTC 서미스터
-
전압 고장 (V (BR) GSS)
-
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
현재 하수구 (Id)-Max
18 A
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-
저항 RDS (On)
52 mOhms
전압
100V
전압-출력
40V
전압 오프셋 (Vt)
40V
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-
전류 밸리 (Iv)
-
전류-피크
-
응용프로그램
기타
리드타임
5 일 이내
보증
365 일
배송 방법
DHL/페덱스/EMS/중국 포스트 오피스
지불 방법
TT/웨스턴 유니온/페이팔 등
ROHS
데이터 시트
사용 가능
BOM 서비스
사용 가능
IC 프로그래밍
사용 가능
PCB 어셈블리
사용 가능
진공 패키지
사용 가능

포장 및 배송

포장 세부정보
오리지널 패키지
항구
Shenzhen

공급 능력

공급 능력
10000 개 per Day

리드 타임

수량 (개)1 - 1 > 1
예상 시간(일)14협의 예정

커스터마이징

Customized packaging
최소 주문: 10000

공급업체의 제품 설명

1 - 99 개
US$0.26
100 - 999 개
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