작용 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
品名
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
4V @ 20mA, 5A
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
1000 @ 3A, 3V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Rds (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
5V @ 0.25A
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1680pF @ 25V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
배송 방법
DHL/페덱스/EMS/중국 포스트 오피스