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सेमी-इंसुलेटिंग SiC सबस्ट्रेट्स (HPSI) में 4-इंच उच्च शुद्धता (अनडॉप्ड) सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स की पेशकश
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मुख्य विशेषताएं
अधिक विशेषताएं
उत्पत्ति के प्लेस
Shanghai, China
ब्रांड नाम
XINKEHUI
मॉडल संख्या
SiC wafer
प्रकार
इस प्रकार से वेफर
Grade
P R D
Diameter
100.0 mm
Thickness
500 um
Wafer Orientation
0001
MPD
LESS OR EQUAL 1
Electrical Resistivity
MORE OR EQUAL 1E7
Dopant
Undoped
Primary Flat Orientation
11-20
Primary Flat Length
32.5 mm
Secondary Flat Orientation
Silicon face up: 90 deg
पैकेजिंग और डिलीवरी
बिक्री की जाने वाली इकाइयां:
एकल आइटम
एकल पैकेज का आकार:
22X5X16 सेमी
एकल सकल वज़न:
0.010 किग्रा
लीड समय
| मात्रा (नग) | 1 - 5 | > 5 |
| अनुमानित समय (दिन) | 30 | मोल-भाव किया जाएगा |
अनुकूलन
Customized logo
न्यून. ऑर्डर: 1
Customized packaging
न्यून. ऑर्डर: 1
Graphic customization
न्यून. ऑर्डर: 1
कस्टमाइज़ेशन के अधिक विवरण के लिए, आपूर्तिकर्ता को संदेश भेजें
आपूर्तिकर्ता की ओर से उत्पाद के विवरण
>= 5 नग
$300.00
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