悬停鼠标可放大图片
一站式Bom订单服务高质量三极管2SA1797 AGQ SOT-89功率晶体管 (-50V/ -2A) 2SA1797
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
2SA1797
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
Through Hole
其他属性
安装类型
Standard
描述
Standard
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
类型
-
工作环境温度
+ 150 C
D/C
20+
应用
-
供应类型
原厂原装, ODM, 代理
可参考资料
数据表, 照片
品名
TK10P60W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
60A
电压 - 集射极击穿（最大值）
40V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
1.5V @ 600mA, 6A
电流 - 集电极截止（最大值）
50nA (ICBO)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
100 @ 10mA, 1V
功率 - 最大值
208W
频率 - 跃迁
300MHz
操作温度
-
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
N-Channel
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.8mOhm @ 78A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @250UA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5600pF @ 25V
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
±20V
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.4V @ 15V, 26A
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Shipping by
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Lead time
1-3 Working Days
Warranty
180 Days
Unit Price
Latest Unit
包装和发货信息
Packaging Details
盒子
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
10.00X10.00X10.00 厘米
单品毛重：
0.100 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 7 | 待定 |
定制
Customized packaging
最小起订量: 20000
如需了解更多定制细节， 私信供应商
