P级/D级4英寸4H-SiC衬底半绝缘SI半导体材料

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Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrs

CN

重要属性

其他属性

原产地

China

品牌

GaNova

型号

JDCD03-002-001

类型

SiC单晶片

Crystal form

4H

Diameter

100.0mm+0.0/-0.5mm

Surface orientation

{0001}±0.2°

Length of main reference edge

32.5 mm ± 2.0 mm

Length of secondary reference edge

18.0 mm ± 2.0 mm

包装和发货信息

Packaging Details

carton

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