QZ 20N60C3原装650V 3.9V n沟道208W MOS功率晶体管TO-220 20N60C3 SPP20N60C3
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重要属性
行业属性
型号
SPP20N60C3
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original brand
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
-
描述
-
原产地
Original
封装/外壳
TO-220
D/C
最新 (发货时随机)
品名
MOS功率晶体管TO-220
操作温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
FET 类型
N通道
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20.7A
条件
新的和原来的
描述
MOS功率晶体管
工作结/存储温度
-55 ℃-+ 150 ℃
RDS (on) 最大值
190.0mΩ
IDpuls max
62.1A
VDS最大值
600.0V
最大ID
20.7 A
Pd-功耗
208瓦
MPQ
50PCS/卷轴
提前期
1-3个工作日
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 500 | 501 - 3000 | > 3000 |
| 美国东部时间（天） | 4 | 5 | 待定 |
供应商的产品说明
50 - 199 pieces
¥14.43
200 - 499 pieces
¥13.41
500 - 999 pieces
¥12.54
>= 1000 pieces
¥11.96
数量
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