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RJK6012DPE-00 # J3 Mosfet晶体管n沟道600 V 10A (Ta) 100W (Tc) SMD LDPAK RJK6012DPE-00 # J3 ic芯片集成电路
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
RJK6012DPE-00#J3
种类
STANDARD
品牌
Bo Zinc
封装类型
标准标准
其他属性
安装类型
标准标准
描述
芯片
原产地
China
封装/外壳
标准
类型
标准
工作环境温度
标准150 °C (TJ)
系列
其他
D/C
标准
应用
标准
供应类型
标准
相似属性可替代料号
标准
可参考资料
标准
品名
标准
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
100瓦 (Tc)
频率 - 跃迁
标准
操作温度
STANDARD 150°C (TJ)
安装方式
STANDARD STANDARD
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
STANDARD
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
STANDARD
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
STANDARD
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
STANDARD
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
STANDARD
晶体管类型
标准
输入
标准
电压-输出
标准
驱动电压 (最大Rds On，最小Rds On)
标准
原产地
中国广东
应用程序
标准
品牌名称
深圳市雷新瑞电子有限公司.
电压击穿 (V(BR)GSS)
标准
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10 | 11 - 50000 | > 50000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 10 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 10000
外包裝定制
最小起订量: 10000
图案定制
最小起订量: 10000
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