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SMD MOSFET P沟道100V 23A D2PAK IRF9540NSTRLPBF F9540NS smd mosfet
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重要属性
行业属性
型号
Transistor
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
NA
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
标准
描述
标准
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-263AB
类型
集成电路, 场效应晶体管
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
D/C
22 +
应用
常用
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表
品名
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
标准
电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
P沟道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
23A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
117mOhm @ 14A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1450pF @ 25V
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
1
电压-额定
10
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 20V
IGBT 类型
1
配置
单内置二极管
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
1
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
1
输入
1
NTC 热敏电阻
417 ℃/W
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
20
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
1
漏极电流（Id） - 最大值
1
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
1
电阻 - RDS（开）
1
电压
10
电压-输出
10
电压 - 偏移（Vt）
1
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
1
电流 - 谷值（Iv）
1
电流 - 峰值
1
应用
开关
提前期
库存中
保修
90天
运输方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
付款方式
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
质量
高品质
条件
全新和原始
样品
提供的
包装和发货信息
Packaging Details
盒子
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
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单品毛重：
0.100 公斤
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