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STD4NK100Z D4NK100Z晶体管集成电路芯片类型一站式BOM服务mosfet STD4NK100Z
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重要属性
行业属性
型号
STD4NK100Z
种类
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品牌
Original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
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描述
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原产地
Germany
封装/外壳
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类型
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工作环境温度
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系列
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D/C
23 +
应用
MOSFET 驱动器
供应类型
代理, ODM, 原厂原装, 零售商
可参考资料
数据表, EDA/CAD 模型。, 照片
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
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电压 - 集射极击穿（最大值）
标准
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
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不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
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频率 - 跃迁
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操作温度
标准
安装方式
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电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
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FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
晶体管类型
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认证
ROHS
产品名称
IC芯片
填料
胶带包装
包装
框
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
11X11X11 厘米
单品毛重：
1.000 公斤
交货时间
| 数量 (acres) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 6 | 16 | 待定 |
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最大订购数量： 1 acres
样品价格：
¥362.32/acres
定制
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最小起订量: 1000
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最小起订量: 1000
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