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STF11晶体管MOSFET 800伏11安培功率至-220-3 STF11NM80
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
STF11NM80
种类
标准
品牌
original
封装类型
-
其他属性
安装类型
通孔, -
描述
晶体管
原产地
California, United States
封装/外壳
TO-220-3
类型
-, IGBT晶体管
工作环境温度
-
系列
STF11NM80
D/C
-，最新
应用
-
供应类型
原厂原装, ODM, 代理
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
STF11NM80
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
--
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
--
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
零件号
STF11NM80
包装/案例:
TO-220-3
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
提前期
1-3天
保修
365天
装运方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
质量
高品质
最小起订量
100件
交货时间
3-5个工作日
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
0.02X0.02X0.02 厘米
单品毛重：
0.020 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
