Parada de campo para vala STGWA80H65DFBAG IGBT 650 V 120 A 469 W através do furo TO-247 IGBT Transistor GWA80H65DFB STGWA80H65DFBAG

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Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd.

Fornecedor com várias especialidades3 yrs

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Principais atributos

Principal especificação da indústria

Número do Modelo

STGWA80H65DFBAG

Tipo

Transistores

Marca

original

Tipo do pacote

Através de orifício

Outros atributos

Tipo de montagem

Através do buraco, Através do buraco

Descrição descrição:

Transistor igbt stgwa80h65dfbag

Lugar de origem

Guangdong, China

Pacote/Caixa

Padrão, Para-247-3

Tipo

Transistor, Mosfet

Temperatura de Operação

-55 °c ~ 175 °c, -55 °C ~ 175 °C

Série

Fabricante original

d/c

Mais novo

Aplicação

Conversores de frequência

Tipo de Fornecedor

Fabricante Original, ODM, Agência

Referência cruzada:

N/a

Meios de comunicação Disponíveis

Folha de dados, Foto, EDA/Modelos CAD

品名

Transistor

Atual-Collector (Ic) (Max)

N/a

Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)

N/a

Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

N/a

Atual-Collector Cutoff (Max)

N/a

Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

N/a

Power-Max

N/a

Freqüência-Transição

N/a

Temperatura de operação

-55 °c ~ 175 °c (tj)

Tipo de Montagem

Através do orifício

Resistor-Base (R1)

Padrão

Resistor-Emissor Base (R2)

N/a

Tipo FET

N/a

FET Recurso

N/a

Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)

N/a

Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C

N/a

Rds On (Max) @ Id, Vgs

N/a

Vgs (th) (Max) @ Id

N/a

Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs

Padrão

Capacitância de entrada (Cis) (Max) @ Vds

N/a

Freqüência

N/a

Classificação da corrente (Ampères)

N/a

Figura de ruído

N/a

Power-Saída

N/a

Tensão-Classificado

N/a

Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On)

N/a

Vgs (Max)

N/a

Tipo IGBT

Padrão

Configuração

N/a

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

N/a

Capacitância de entrada (Cas) @ Vce

N/a

Entrada

N/a

Termistor NTC

N/a

Tensão-Repartição (V (BR) GSS)

N/a

Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

N/a

Consumo de corrente (Id)-Max

Padrão

Tensão-Corte (VGS off) @ Id

N/a

-Resistência RDS (On)

N/a

Tensão

600v

Da tensão de Saída-

N/a

Tensão-Offset (Vt)

N/a

Atual-Portão para Vazamento de Ânodo (Igao)

N/a

Atual-Vale (Iv)

N/a

-Corrente de Pico

N/a

Aplicações

N/a

Tipo de Transistor

Padrão

Embalagem e entrega

Unidades de Venda:

Item único

Tamanho da embalagem única:

2X2X2 cm

Peso bruto único:

0.003 kg

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Tempo até a entrega

Quantidade (Peças)	1 - 30000	30001 - 50000	> 50000
Tempo estimado (dias)	3	5	A ser negociado

Personalização

Original packing

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Descrições do produto pelo fornecedor

10 - 99 Peças

€ 2,39

100 - 999 Peças

€ 1,76

>= 1000 Peças

€ 0,815

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