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技术Mosfet G40n60ufd G40n60d晶体管G40n60 G40n60ufd Mosfet G40n60
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重要属性
行业属性
型号
G40n60ufd
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
original
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
描述
标准
原产地
China
封装/外壳
-
D/C
22 +
供应类型
ODM, 原厂原装
可参考资料
数据表, 照片
品名
SPW24N60C3
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
--
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
195W/40w
频率 - 跃迁
--
操作温度
-55至 + 150 ℃。
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
--
FET 类型
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
请参阅数据表
额定电流
13A
噪声系数
请参阅数据表
功率-输出
195W/40w
电压-额定
500V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
请参阅数据表
Vgs（最大值）
请参阅数据表
IGBT 类型
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
1
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
1895pF
输入
1895pF
NTC 热敏电阻
请参阅数据表
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
500v
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
100UA
漏极电流（Id） - 最大值
100UA
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
600v
电阻 - RDS（开）
请参阅数据表
电压
600V，V标准
电压-输出
600v
电压 - 偏移（Vt）
+/-30v
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
请参阅数据表
电流 - 谷值（Iv）
13A
电流 - 峰值
52A
应用
工业变频器和伺服
包装和发货信息
Packaging Details
纸箱包装
Port
SZ/HK
供应能力
供应能力
50000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 30000 | 30001 - 50000 | > 50000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 5 | 待定 |
