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TK7R7P10PL，RQ热卖无源元件X35 pb-f功率MOSFET晶体管分立半导体产品晶体管-FETs，
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重要属性
行业属性
型号
TK7R7P10PL RQ
封装类型
表面贴片封装
其他属性
原产地
Original
D/C
最新
应用
通用
供应类型
零售商
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。
品名
分立半导体产品
电压 - 集射极击穿（最大值）
100 V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
N/A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
N/A
电阻器 - 基底（R1）
7.7mOhm @ 27.5A, 10V
电阻器 - 发射极基底（R2）
7.7mOhm @ 27.5A, 10V
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
46A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.7mOhm @ 27.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 500UA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
N/A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2800 pF @ 50 V
响应频率(Hz)
N/A
额定电流
55A(Tc)
噪声系数
N/A
功率-输出
93W(Tc)
电压-额定
4.5V,10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V,10V
Vgs（最大值）
± 20V
IGBT 类型
N/A
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
N/A
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
2800 pF @ 50 V
输入
N/A
NTC 热敏电阻
N/A
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
N/A
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
55A(Tc)
漏极电流（Id） - 最大值
55A(Tc)
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
2.5V @ 500UA
电阻 - RDS（开）
N/A
电压
100 V
电压-输出
100 V
电压 - 偏移（Vt）
4.5V,10V
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
55A(Tc)
电流 - 谷值（Iv）
55A(Tc)
电流 - 峰值
55A(Tc)
应用
通用
最小起订量
1 Pcs
质量
高品质
包装
原标准
认证
RoHS
服务
一站式服务
装运方式
DHL \ UPS \ FEDEX \ EMS \ POST等
保修
365天
数据表
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包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
XX 厘米
单品毛重：
公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 2500 | > 2500 |
| 美国东部时间（天） | 15 | 待定 |
