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超低价格SOT23-3 n沟道Mosfet HC3400A 30V 5.8A功率Mosfet晶体管AO3400A Si2338DS AO3400 IRLML6344
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
HC3400A AO3400A Si2338DS AO3400 IRLML6344
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Lendo
封装类型
SMD SOT23-3
其他属性
安装类型
标准
描述
HC3400A采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON) 低栅极电荷和栅极电压低至2.5v的操作该器件适合用作负载开关或PWM应用
原产地
China
封装/外壳
SMD SOT23-3
类型
N沟道MOSFET HC3400A
工作环境温度
-40 - 125 ℃
系列
功率Mosfet晶体管
D/C
23 +
应用
电源管理
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
AO3400A Si2338DS AO3400 IRLML6344
可参考资料
数据表, 照片
品名
N沟道30v 5.8A功率Mosfet晶体管
电压 - 集射极击穿（最大值）
30V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
操作温度
150 °C (TJ)
安装方式
Standard
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
1.4W
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
标准
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
晶体管类型
功率Mosfet晶体管
晶体管Mosfet
HC3400A AO3400A
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
包装
SMD SOT23-3
质量
100% 原创100% 品牌
装运方式
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
提前期
1-3天
服务
24小时在线
晶体管类型
N沟道30v 5.8A
包装和发货信息
销售单位：
多个 6000
每批包装尺寸：
20X20X4 厘米
每批毛重：
0.400 公斤
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最大订购数量： 30 pieces
样品价格：
¥0.4326/pieces
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最小起订量: 60000000
外包裝定制
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