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L2N7002DW1T1G标记702 SOT363双n沟道MOSFET 60V 115mA晶体管L2N7002DW
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重要属性
行业属性
型号
L2N7002DW1T1G
种类
transistor
品牌
original
封装类型
表面贴片封装
其他属性
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
reel
D/C
newest
应用
通用
供应类型
原厂原装
可参考资料
数据表, 照片
品名
transistor
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
115mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
60V
操作温度
-55℃~+150℃
安装方式
表面贴片封装
配置
不适用
包装和发货信息
Packaging Details
original packaging
Port
shenzhen
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
1X1X1 厘米
单品毛重：
0.002 公斤
供应能力
供应能力
1000000 件 per Month
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 待定 |
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