Todas las categorías
Selecciones destacadas
Trade Assurance
Central de compradores
Centro de ayuda
Obtener la aplicación
Convertirse en un proveedor

8N150 IXTK8N150L Transistor Mosfet, Canal N, 8A 1500 V (Tc) 700W (Tc) DIP-264 IXTK8N150L

No hay reseñas aún
Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.Fabricante personalizado3 yrsCN

Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
IXTK8N150L
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo de paquete
A través del agujero

Otros atributos

Tipo de montaje
A través del agujero
Descripción
Transistor original
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-264-3 TO-264AA
d/c
Nuevo
Uso
Transistor del Mosfet
Los medios disponibles
Hoja de Datos
品名
IXTK8N150L
Poder-Max
700W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
FET tipo
Canal N
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1500 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
3.6Ohm @ 4A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
8V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
250 nC @ 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
8000 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
20V
Vgs (Max)
± 30V
Aplicaciones
-
Marca
Original
Tiempo de almacenamiento
3-5día
Dirección de entrega
Shenzhen

Plazo de entrega

Cantidad (piezas)1 - 10000 > 10000
Hora del Est.(días)3Para negociar

Descripciones de productos del proveedor

>= 1 piezas
EUR 0.0927

Variaciones

Opciones totales:

Envío

Las soluciones de envío para la cantidad seleccionada no están disponibles actualmente

Beneficios de la membresía

Reembolsos rápidos Ver más

Protecciones para este producto

Pagos seguros

Cada pago que realices en Alibaba.com está protegido con un estricto cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS

Política de reembolso

Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, falta o llega con problemas con el producto