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Preis äquivalent D772 Mosfet Ic B772 Elektronischer Schaltkreis D882sb D882p Transistor D882 Smd

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
D882 B772
Art
Felde ffekt transistor
Markenname
NA
Paket-Art
Oberfläche Montieren

Andere Merkmale

Beschreibung
Neues original
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
Sot-32-3, TO-225AA, bis-126-3
D/c
Neueste
Anwendung
Komponente
Lieferantentyp
Original hersteller, ODM
Media Verfügbar
Datenblatt
品名
Leistungs röhre, Original hersteller
Strom-Collector (Ic) (Max)
50a
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
1200v
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
-
Strom-Collector Cutoff (Max)
-
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Power-Max
365w
Frequenz-Übergang
-
Betriebstemperatur
-40 °c ~ 175 °c (tj)
Befestigungstyp
Perforation
Widerstand-Basis (R1)
-
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
FET Typ
-, N-Kanal
FET Feature
-
Drain Quelle Spannung (Vdss)
-
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
-
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
...
Frequenz
-
Nennstrom (Ampere)
-
Rauschzahl
-
Power-Ausgang
-
Spannung-Bewertet
-
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
-
Vgs (Max)
-
IGBT Typ
Npt
Konfiguration
Einzigen Schalter
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
1,8 v @ 15v, 25a
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
-
Eingang
-
Ntc
-
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
-
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Strom Drain (Id)-Max
-
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
-
Widerstand-RDS (Auf)
-
Spannung
-
Spannung-Ausgang
-
Spannung-Offset (Vt)
-
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
-
Strom-Tal (Iv)
-
Strom-Spitzen
-
Anwendungen
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100 - 999 Stück
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>= 1000 Stück
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