Lugar del origen
Jiangsu, China
Temperatura de funcionamiento
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Corriente de colector (Ic) (máx.)
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-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
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Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
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Corriente de colector de corte (Max)
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Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
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-Frecuencia de transición
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Temperatura de funcionamiento
standard
Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
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FET característica
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Tensión de drenador a fuente (Vdss)
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Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
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Rds (Max) @ Id Vgs
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Vgs (th) (Max) @ Id
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La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
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Corriente nominal (en amperios)
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Potencia de salida
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Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
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Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
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Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
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Corriente de drenaje (Id).
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-Tensión de corte (VGS) @ Id
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Resistencia-On (RDS)
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Tensión de salida-salida
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-Tensión Offset (Vt)
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Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
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Corriente de Valle Iv)
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Corriente de pico
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Tipo de Transistor
Módulo de IGBT
Nombre del producto
1400A 1200V IGBT transistor alta potencia de conmutación uso CM1400DUC-24S
Artículo
Transistor de IGBT
Pago
TT, Unión Occidental, PayPal etc.
Envío
DHL FEDEX el ccsme UPS etc
Tipo de paquete
Caja del cartón
Aplicación
Dispositivo IGBT
Número de parte
CM1400DUC-24S