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      Triodo di triodo di cristallo di triodo di prezzo economico di alta qualità

      Ancora nessuna recensione
      Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      2n2222
      Tipo
      IGBT Transistor
      Marca
      original
      Tipo del pacchetto
      Altro

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      Attraverso il foro
      Descrizione
      Transistor Igbt
      Punto d'origine
      Guangdong, China
      Contenitore/Involucro
      SOT523
      Tipo
      Componenti elettronici
      Temperatura di funzionamento
      -55 °C ~ 175 °C (TJ)
      D/c
      ULTIME
      Applicazione
      Amplificatore
      Tipo Fornitore
      ODM, Produttore originale, Rivenditore
      Croce di Riferimento
      2 n5551
      Media Disponibile
      Scheda tecnica, Foto
      品名
      TRANSISTORE
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      200mA
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      -
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      -
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      -
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Potenza-Max
      -
      Frequenza-di Transizione
      -
      Resistenza-Base (R1)
      -
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      -
      Tipo FET
      N-Canale
      FET Caratteristica
      -
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      30V, 30V
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      78A (Tc), 92A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      4.8mOhm @ 40A, 10V, 4.8mOhm @ 40A, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      2.35V @ 50uA, 2.35V @ 50uA
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      23nC @ 4.5V, 23nC @ 4.5V
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      2139pF @ 15V
      Frequenza
      -
      Corrente Nominale (Ampere)
      -
      Figura di rumore
      -
      Potenza di Uscita
      -
      -Tensione Nominale
      -
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      4.5V, 10V
      Vgs (Max)
      ± 20V, ± 20V
      Tipo IGBT
      -
      Configurazione
      -
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      -
      Ingresso
      -
      NTC Termistore
      -
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      -
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Consumo di corrente (Id)-Max
      -
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      -
      Resistenza-RDS (On)
      -
      Tensione
      -
      Tensione-Uscita
      -
      -Tensione di Offset (Vt)
      -
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      -
      Corrente-Valle (Iv)
      -
      Corrente di Picco-Picco
      -
      Applicazioni
      TRANSISTORE
      Tipo di transistore
      Transistor di potenza mrf150 rf
      Collettore-Tensione Base
      60V
      Tensione collettore-emettitore
      40V
      Tensione Emettitore-Base
      6V
      Corrente da collezione
      200mA
      Dissipazione di potenza
      150mW
      Temperatura di giunzione
      150 ℃
      Marchio
      100% nuovo e originale
      Garanzia di qualità
      Rapporto di prova disponibile
      Pacchetto
      Pacchetti originali con etichette
      Efficiente
      Consegna rapida

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      Pacchetto
      1 BAG = 1000 PCS; 10 BORSE = 1 SCATOLA;
      10 SCATOLE = 100K = 1 CTN
      Orificio
      Shenzhen

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      Capacità di fornitura
      10000 Parte/parti per Day
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