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      Original nuevo IKW50N65ES5 componentes electrónicos transistor IGBT IKW50N65ES5XKSA1 en stock 650V 80A TO247

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      Shenzhen 7setronic Semiconductor Co., Ltd.Proveedor multi-especialidad1 yrCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      IKW50N65ES5
      Tipo
      IGBT Transistor
      Marca
      Infineon Technologies
      Tipo de paquete
      A través del agujero

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      A través del agujero
      Descripción
      IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
      Lugar del origen
      Original Manufacturer
      PAQUETE/cubierta
      TO-247
      Tipo
      Transistor
      Temperatura de funcionamiento
      -40 °C ~ 175 °C(TJ)
      Serie
      TrenchStop
      d/c
      Dentro de 2 años
      Uso
      Propósito General
      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original
      Los medios disponibles
      Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
      品名
      Transistor
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      80 A
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      650 V
      Poder-Max
      274 W
      Tipo de Montaje
      A través del orificio
      Tipo IGBT de
      Trench
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      1,7 V @ 15V,50A
      De entrada
      Estándar
      Tipo de Transistor
      IGBT
      P/N
      IKW50N65ES5
      Carga de la puerta
      120 nC
      Td (encendido/apagado) @ 25 °C
      20ns/127ns
      Tiempo de recuperación inversa (TRR)
      70 NS
      Aseguramiento DE LA CALIDAD
      100% nuevo original
      Estado del producto
      En stock
      Tiempo de plomo
      1-3 días laborables
      Servicio
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      >= 1000 piezas
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