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Jeking二极管GEN PURP 600V 150A TO247-3 D100E60 IDW100E60FKSA1
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重要属性
行业属性
型号
IDW100E60FKSA1
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
ORIGINAL BRAND
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
SMD/SMT
描述
标准
原产地
California, United States
封装/外壳
-
品名
-
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
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电压 - 集射极击穿（最大值）
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不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
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电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
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功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-
电阻器 - 基底（R1）
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电阻器 - 发射极基底（R2）
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FET 类型
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漏源电压（Vdss）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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Vgs（最大值）
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IGBT 类型
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不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
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输入
-
NTC 热敏电阻
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电压 - 击穿（V（BR）GSS）
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不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
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漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
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电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
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电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
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应用
-
型号
IDW100E60FKSA1
电压-直流反向 (Vr) (Max)
600V
平均整流电流 (Io)
150A (直流)
电压-正向 (Vf) (最大值) @ If
2V @ 100A
反向恢复时间 (trr)
120ns
电流-反向泄漏 @ Vr
40uA @ 600V
安装类型
通孔
包装/案例
TO-247-3
关键词
D100E60
零件号
IDW100E60FKSA1
包装和发货信息
Packaging Details
ESD/真空/泡沫/纸箱
供应能力
供应能力
10000 件 per Week
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 99999
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