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MOSFET晶圆60V 60A n沟道功率MOSFET晶体管裸片中国芯片，用于负载开关和PWM应用
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
AKMW100N06T01
种类
MOSFET晶圆
品牌
Aiko
封装类型
裸片
其他属性
安装类型
内置
描述
N通道, VDS = 60V, 无铅电镀, 符合RoHS标准
原产地
Zhejiang, China
封装/外壳
裸片
类型
MOSFET晶圆
工作环境温度
-40 ℃ ~ + 175 ℃
应用
PWM应用和电源管理
供应类型
原厂原装, ODM
可参考资料
数据表, 照片
品名
MOSFET晶圆
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
60A
电压 - 集射极击穿（最大值）
60V
操作温度
25 ℃(Tj)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
60A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
19miohm
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V
额定电流
60A
电压-额定
60V
Vgs（最大值）
10V
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
70V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
1-100uA
漏极电流（Id） - 最大值
60A
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
10V
电阻 - RDS（开）
<15miohm
电压
60V
电流 - 峰值
60A
应用
负载swtch和PWM应用
晶体管类型
MOSFET晶圆
晶圆尺寸
8英寸
晶圆厚度
6密耳
毛模
8211
划线
60um
V(BR)DSS类型。
70v
VGS(th) 最大值
2.4v
IDSS
1-100uA
RG类型。
1.4欧姆
应用程序1
负荷开关
应用2
电源管理和PWM应用
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 100 | 101 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 20 | 30 | 待定 |
定制
LOGO定制
最小起订量: 1000
外包裝定制
最小起订量: 1000
图案定制
最小起订量: 1000
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