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MT53E512M32D1ZW 046 WTB热DDR SDRAM LPDDRL PDDR4X原始存储芯片集成电路高速CMOS动态随机存取存储器
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重要属性
行业属性
型号
MT53E512M32D1ZW 046
品牌
Original
其他属性
系列
存储芯片
描述
LPDDRL PDDR4X DDR SDRAM
类型
复员方案
原产地
Guangdong, China
D/C
新建
应用
电子设备或工业控制
工作环境温度
-25 °C至85 °C
安装类型
TFBGA-200
模块/板类型
标准
核心处理器
MT53E512M32D1ZW-046
协处理器
标准
档位
标准
闪存大小
8GB
连接器类型
标准
大小/尺寸
标准
容器
标准
核心尺寸
标准
连通性
标准
外设
标准
I/O 数
标准
程序存储容量
16 KB
程序存储器类型
闪光灯
EEPROM 容量
不适用
电压 - 电源（Vcc/Vdd）
标准
数据转换器
1
振荡器类型
标准
控制器系列
标准
插口
标准
电压-电源
标准
封装/外壳
TFBGA-200
核数/总线宽度
2
RAM 控制器
RAM
图形加速
标准
显示与接口控制器
标准
以太网
标准
USB
标准
电压 - I/O
标准
相似属性可替代料号
标准
最小起订量
1 Pcs
质量
100% 品牌100%
包装
TFBGA-200
更多细节
DDR SDRAM
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 5000 | > 5000 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 1000
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