悬停鼠标可放大图片
电子元件原装集成电路芯片STW28N60M2，带BOM列表服务
暂无评价
重要属性
行业属性
型号
STW28N60M2
种类
晶体管-fet，mosfet-单
品牌
Standard
封装类型
通孔
其他属性
安装类型
通孔
描述
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-247-3
类型
-
工作环境温度
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
系列
MDmesh II Plus
D/C
-
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表
品名
-
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
± 25V
IGBT 类型
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
-
输入
-
NTC 热敏电阻
-
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
晶体管类型
-
RoHS
符合ROHS3标准
功率-最大
-
供应商设备包
TO-247-3
基础产品编号
STW28
反向恢复时间 (trr)
-
电压-集电极发射极击穿
-
集电器 (Ic) (最大值)
-
电流收集器脉冲 (Icm)
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
-
试验条件
-
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
10X10X10 厘米
单品毛重：
50.000 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 50000 | > 50000 |
| 美国东部时间（天） | 16 | 待定 |
定制
供应商的产品说明
5 - 499 pieces
¥7.24
500 - 2999 pieces
¥4.35
3000 - 19999 pieces
¥2.90
>= 20000 pieces
¥1.45
数量
物流
所选数量暂无运输解决方案商品总计（0 种规格 0 件商品)
$0.00
运费总计
$0.00
小计
$0.00
会员权益
每月领取 80 美元优惠券查看详细信息
商品保障
商品保障
安全支付![]()
您在阿里巴巴国际站的每一笔支付，都通过SSL加密协议及PCI DSS数据保护协议保障支付安全
退款政策&无忧退![]()
如果您购买的商品未送达、有缺陷或损坏，您可获得退款，此外对于有质量问题的商品，支持免费本地退货
阿里巴巴国际站通过信用保障服务为您在平台上支付的所有订单提供保护