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高质量金属氧化物半导体场效应晶体管p-ch 60V 18A TO-220AB IRF9Z34
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重要属性
行业属性
型号
IRF9Z34
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original Brand
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
SMD/SMT, 通孔
描述
晶体管, MOSFET p-ch 60v 18A TO-220AB
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-220-3
类型
射频晶体管
工作环境温度
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
品名
MOSFET p-ch 60v 18A TO-220AB
FET 类型
P沟道, P沟道
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
18A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
140mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250uA, 4V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
34nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1100pF @ 25V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
± 20V
零件号
IRF9Z34
漏源电压
60V
电流 @ 25 °C
18A (Tc)
栅极充电 @ Vgs
34nC @ 10V
输入电容 @ Vds
4V @ 250uA
功耗 (最大)
88瓦 (Tc)
供应商设备包
TO-220AB
公司
世纪超越
付款
TT PAYAPL支付宝
装运者
DHL EMS UPS FEDEX
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | > 1000 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
定制
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