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      FGW50XS65D YC nuevo y original (Stock de chips IC de circuitos integrados de componentes electrónicos) FGW50XS65D

      No hay reseñas aún3 pedidos
      Shenzhen Yechen Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      FGW50XS65D
      Tipo
      Transistor de potencia
      Marca
      Original
      Tipo de paquete
      Original

      Otros atributos

      Tipo de montaje
      Estándar
      Descripción
      TRANSISTOR
      Lugar del origen
      Guangdong, China
      PAQUETE/cubierta
      El original
      Tipo
      MOS
      Temperatura de funcionamiento
      Estándar, Estándar
      Serie
      MOS
      d/c
      23 +
      Uso
      Otros
      Tipo de Proveedor
      El original
      Referencia cruzada
      El original
      Los medios disponibles
      El original
      品名
      Original
      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      El original
      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      El original
      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      El original
      Corriente de colector de corte (Max)
      El original
      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      El original
      Poder-Max
      Estándar
      -Frecuencia de transición
      El original
      Temperatura de funcionamiento
      Temperatura estándar, normal
      Tipo de Montaje
      El original
      Resistencia Base (R1)
      El original
      Resistencia-emisor Base (R2)
      El original
      FET tipo
      Estándar
      FET característica
      El original
      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      El original
      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      Estándar
      Rds (Max) @ Id Vgs
      El original
      Vgs (th) (Max) @ Id
      El original
      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      Estándar
      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      El original
      Frecuencia
      El original
      Corriente nominal (en amperios)
      El original
      Ruido
      Estándar
      Potencia de salida
      Estándar
      -Tensión nominal
      El original
      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      El original
      Vgs (Max)
      Estándar
      Tipo IGBT de
      Estándar
      Configuración
      Estándar
      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      El original
      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Estándar
      De entrada
      Estándar
      Termistor NTC
      El original
      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      El original
      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Estándar
      Corriente de drenaje (Id).
      El original
      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Estándar
      Tensión
      El original
      Tensión de salida-salida
      El original
      -Tensión Offset (Vt)
      El original
      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      El original
      Corriente de Valle Iv)
      El original
      Corriente de pico
      El original
      Aplicaciones
      El original
      Tipo de Transistor
      El original
      Tiempo de plomo
      1-7día
      Proveedor
      Tecnología Co., Ltd. de Shenzhen Huanxin.
      Embalaje
      Estándar
      Mostrar más

      Plazo de entrega

      Cantidad (piezas)1 - 1000 > 1000
      Hora del Est.(días)3Para negociar

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      Embalaje personalizado
      Pedido mínimo: 10000
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      Pedido mínimo: 10000
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