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高性能IGBT模块英飞凌晶体管igbt模块工厂价格大库存
暂无评价3 笔订单第 #9爆款商品的 用于Igbt模块的晶体管
重要属性
行业属性
型号
Infineon
种类
IGBT晶体管
品牌
Infineon Anyhz
封装类型
CTI > 400
其他属性
安装类型
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描述
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原产地
Guangdong, China
封装/外壳
CTI > 400
类型
igbt modules
工作环境温度
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系列
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D/C
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应用
高频
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, Other
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, Other
品名
IGBT
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
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电压 - 集射极击穿（最大值）
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不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
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不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
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操作温度
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安装方式
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电阻器 - 基底（R1）
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电阻器 - 发射极基底（R2）
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FET 类型
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FET 功能
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漏源电压（Vdss）
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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响应频率(Hz)
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额定电流
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噪声系数
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功率-输出
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电压-额定
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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Vgs（最大值）
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IGBT 类型
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配置
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不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
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不同 Vce 时的输入电容（Cies）
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输入
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NTC 热敏电阻
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电压 - 击穿（V（BR）GSS）
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不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
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漏极电流（Id） - 最大值
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不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
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电阻 - RDS（开）
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电压
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电压-输出
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电压 - 偏移（Vt）
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电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
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电流 - 谷值（Iv）
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电流 - 峰值
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应用
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晶体管类型
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Color
White
Highest power density
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RoHS compliant
RoHS compliant
Best-in-class VCEsat
Best-in-class VCEsat
Tvj op = 175°C overload
Tvj op = 175°C overload
4 kV AC 1 min Insulation
4 kV AC 1 min Insulation
UL/CSA Certification with UL1557 E83336
UL/CSA Certification with UL1557 E83336
High Creepage and Clearance
High Creepage and Clearance
包装和发货信息
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
8.5X15.3X11.3 厘米
单品毛重：
0.100 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 20 | 21 - 500 | 501 - 5000 | > 5000 |
| 美国东部时间（天） | 7 | 30 | 60 | 待定 |
定制
Customized logo
最小起订量: 50
Customized packaging
最小起订量: 50
Graphic customization
最小起订量: 50
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