200V 30A P沟道Mosfet IRFP250晶体管
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重要属性
行业属性
型号
IRFP250
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
N/A
封装类型
表面贴片封装
其他属性
原产地
Alaska, United States
封装/外壳
TO-247-3
D/C
new
应用
通用
品名
MOSFET N-CH 200V 33A TO-247
操作温度
150°C (TJ)
安装方式
引脚直插式封装
FET 类型
N-Channel
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
33A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
85mOhm @ 16A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
158nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2850pF @ 25V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
Vgs（最大值）
±20V
Type
Field-Effect Transistor
Package/Case
TO-247-3
包装和发货信息
Packaging Details
Tube/reel/bags
Port
shenzhen
供应能力
供应能力
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