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原装晶体管a798 npn硅功率晶体管a798
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重要属性
行业属性
型号
a798
种类
ic芯片
品牌
original
封装类型
TO-3P
其他属性
安装类型
通孔
描述
标准
原产地
Guangdong, China
封装/外壳
TO-3P-3全套, TO-3P-3全套
类型
标准
工作环境温度
150 °C (TJ), 150 °C (TJ)
系列
标准
D/C
23 +
应用
其他
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商
相似属性可替代料号
-
可参考资料
数据表, 照片
品名
IGBT 600V 50A 150W TO3P
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A, 50A
电压 - 集射极击穿（最大值）
600v
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
标准
电流 - 集电极截止（最大值）
标准
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
标准
功率 - 最大值
150瓦, 150瓦
频率 - 跃迁
标准
电阻器 - 基底（R1）
标准
电阻器 - 发射极基底（R2）
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
标准
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
标准
Vgs（最大值）
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
.4V @ 15V, 50A, 2.4V @ 15V, 50A
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
标准
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
标准
漏极电流（Id） - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
标准
电阻 - RDS（开）
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移（Vt）
标准
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
标准
电流 - 谷值（Iv）
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
晶体管类型
mrf150射频功率晶体管
品牌
100% 新的和原始的
质量保证
可用的测试报告
包装
带标签的原件
高效
交货及时
包装和发货信息
Packaging Details
ESD/真空/泡沫/纸箱
Port
Shenzhen
供应能力
供应能力
10000 件 per Day
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 1000 | 1001 - 10000 | > 10000 |
| 美国东部时间（天） | 1 | 3 | 待定 |
