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深圳cxcw电子NCE80H12 01H13 60H15 55H12 150V 60A至220 Mosfet mos管
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重要属性
行业属性
型号
NCE80H12
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
ALL BRAND
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
-
描述
-
原产地
-
封装/外壳
-
D/C
-
应用
通用
供应类型
零售商
可参考资料
照片, 数据表
品名
TO-220 Mosfet mos管
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
-
操作温度
-
安装方式
-
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
响应频率(Hz)
-
额定电流
-
噪声系数
-
功率-输出
-
电压-额定
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
Vgs（最大值）
-
IGBT 类型
-
配置
-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
-
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
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输入
-
NTC 热敏电阻
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电压 - 击穿（V（BR）GSS）
-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
-
漏极电流（Id） - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
-
电阻 - RDS（开）
-
电压
-
电压-输出
-
电压 - 偏移（Vt）
-
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
-
电流 - 谷值（Iv）
-
电流 - 峰值
-
应用
-
晶体管类型
-
产品名称
60H15 55H12 150v 60A至220 Mosfet mos管
包装和发货信息
Packaging Details
卷轴或管
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
4X3X1 厘米
单品毛重：
0.040 公斤
交货时间
| 数量 (pieces) | 1 - 100000 | 100001 - 500000 | 500001 - 1000000 | > 1000000 |
| 美国东部时间（天） | 3 | 5 | 7 | 待定 |
定制
外包裝定制
最小起订量: 100000000
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