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晶体管套件MTP75N05HD N通道60V 120A至220功率MOSFET原装smd晶体管HLX集成电路mos MTP75N05HD
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重要属性
行业属性
型号
MTP75N05HD
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
MTP75N05HD
封装类型
表面贴片封装
其他属性
原产地
China,TaiWan
封装/外壳
TO-220
D/C
22+
应用
POWER
供应类型
原厂原装, 代理
相似属性可替代料号
MTP75N05HD
可参考资料
数据表, 照片
品名
MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
standard
电压 - 集射极击穿（最大值）
standard
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
standard
电流 - 集电极截止（最大值）
standard
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
standard
功率 - 最大值
standard
频率 - 跃迁
standard
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
standard
电阻器 - 发射极基底（R2）
standard
FET 类型
N-channel
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
120A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
standard
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
standard
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
standard
响应频率(Hz)
standard
额定电流
standard
噪声系数
standard
功率-输出
standard
电压-额定
standard
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
standard
Vgs（最大值）
standard
IGBT 类型
standard
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
standard
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
standard
输入
standard
NTC 热敏电阻
standard
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
standard
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
standard
漏极电流（Id） - 最大值
standard
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
standard
电阻 - RDS（开）
standard
电压
standard
电压-输出
standard
电压 - 偏移（Vt）
standard
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
standard
电流 - 谷值（Iv）
standard
电流 - 峰值
standard
应用
power supply
Part Number
MTP75N05HD
Packaging
Tube-packed
Description
TO-220 MOSFET
Attribute
RoHS
Availability
In Stock
DC
new Original
Category
MOSFET
包装和发货信息
Port
shenzhen
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
37X21X10 厘米
单品毛重：
0.079 公斤
交货时间
| 数量 (pairs) | 1 - 5 | > 5 |
| 美国东部时间（天） | 5 | 待定 |
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